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晶体管
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BSS84PWH6327XT

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数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
150 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
20.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.6 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
BSS84PW BSS84PWH6327XTSA1 H6327 SP000917564
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，BSS84PWH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
1,000:¥17.8314
2,000:查看
参考库存:9457
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