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晶体管
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CSD13302WT

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.5933
159.33
250
¥1.5933
398.325
1,000
¥1.2317
1231.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
17.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1 mm
系列
CSD13302W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格，CSD13302WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FD800R17HP4-K_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 800A 1700V
1:¥7,278.1266
参考库存:2359
SIR438DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V 60A 83W
1:¥15.0629
10:¥12.5204
100:¥9.6841
500:¥8.5315
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.0682
参考库存:17086
BD437TG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 45V 36W NPN
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
参考库存:90423
SIS410DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
1,000:¥4.2827
3,000:¥3.9776
参考库存:35755
IRF840ASPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥15.594
10:¥12.9837
参考库存:30227
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