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晶体管
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IPP020N06N

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数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP020N06NAKSA1 IPP2N6NXK SP000917406
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP020N06N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI1032R-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:51387
CSD85312Q3E
Texas Instruments
晶体管
MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MOSFETs
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5087
500:¥3.9889
2,500:¥2.8024
10,000:查看
参考库存:16214
ECH8668-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
3,000:¥2.0566
参考库存:22546
FDP2552
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:3408
IRL640PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.0627
参考库存:8440
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