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晶体管
IPP65R190E6参考图片

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IPP65R190E6

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库存:3,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
500
¥14.4414
7220.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
112 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R19E6XK SP000849876
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IPP65R190E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
5,000:¥3.1527
10,000:查看
参考库存:14471
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:28428
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
1,500:¥4.9607
9,000:查看
参考库存:10830
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6557
500:¥5.7178
1,000:¥4.52
3,000:¥4.52
参考库存:45467
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHAN SOT-963 DUAL
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
8,000:¥0.86106
24,000:查看
参考库存:43674
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