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晶体管
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IPB029N06N3 G

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数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.526
115.26
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
165 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB029N06N3GATMA1 IPB29N6N3GXT SP000453052
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IPB029N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS5160DS,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:9136
SI7326DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 10A 1.5W
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:6913
2SC4027T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 160V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:8620
2STN1360
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:23802
FDMC6679AZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -30V P-Channel Power Trench
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
3,000:¥2.5877
9,000:查看
参考库存:118309
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