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晶体管
SIR804DP-T1-GE3参考图片

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SIR804DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:35,692(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.3735
6186.75
3,000
¥12.3735
37120.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
50.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SIR804DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR804DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:11224
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
5,625:¥4.8138
11,250:¥4.7121
参考库存:51177
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥336.0959
250:¥307.134
参考库存:51182
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:51187
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥243.8088
250:¥227.5255
参考库存:51192
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