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晶体管
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IRLB8721PBF

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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5709
55.709
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.7855
1892.75
1,000
¥2.9945
2994.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
62 A
Rds On-漏源导通电阻
8.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
93 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
9.1 ns
零件号别名
SP001558140
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRLB8721PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-Signal MOSFET
1:¥2.5312
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:22430
BUK9M11-40EX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK9M11-40E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
1,500:¥1.6498
参考库存:2992
ZXMS6004N8-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 500mOhm 1.3A 120mJ
1:¥4.6104
10:¥3.8646
100:¥2.3617
1,000:¥1.8193
2,500:¥1.5481
参考库存:15924
FDMS3606S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
3,000:¥4.7008
9,000:查看
参考库存:17826
2SC3325-Y,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
1:¥2.6894
10:¥1.7176
100:¥0.71416
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.36838
参考库存:69778
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