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晶体管
CSD87312Q3E参考图片

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CSD87312Q3E

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6105
66.105
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
2,500
¥3.1527
7881.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
6.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87312Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
31.200 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87312Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥9.5259
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100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
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1:¥8.7575
10:¥7.1416
100:¥5.9551
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1,000:¥4.1471
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1:¥13.7521
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
参考库存:6126
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