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晶体管
MUN5237DW1T1G参考图片

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MUN5237DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5481
15.481
100
¥0.64523
64.523
1,000
¥0.43844
438.44
3,000
¥0.34578
1037.34
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
47 kOhms
典型电阻器比率
2.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5237DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，MUN5237DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NIC9N05ATS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 9 A 52 V N-CHANNEL DIE
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:24914
ULQ2003ATDG4Q1
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Darl Trans Arrays
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:24919
DDA142TH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:17421
DMN6075S-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
10,000:¥0.44522
20,000:¥0.41471
参考库存:24926
FDG6335N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FDG6335N
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.582
参考库存:12428
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