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晶体管
BD244CG参考图片

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BD244CG

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 65W PNP
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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥6.1811
61.811
100
¥4.7573
475.73
500
¥4.2036
2101.8
1,000
¥3.3222
3322.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
6 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD244C
高度
9.28 mm (Max)
长度
10.28 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.82 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
65 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BD244CG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
100:¥590.9787
参考库存:50249
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1,000:¥10.9158
2,000:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:50254
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm
15,000:¥4.7121
参考库存:50259
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
3,000:¥62.1613
参考库存:50264
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 7.3A I2PAK-3
500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
2,500:¥7.7631
5,000:¥7.5145
参考库存:50269
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