PSMN7R6-60PS,127详细参数_参考价格_PSMN7R6-60PS,127 PDF资料_Nexperia

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	92 A
Rds On-漏源导通电阻	7.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4.6 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	38.7 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	149 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Tube
高度	9.4 mm
长度	10.3 mm
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel 60 V 7.8 mOhms Standard Level MOSFET
宽度	4.7 mm
商标	Nexperia
下降时间	13 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	21 ns
工厂包装数量	50
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	37 ns
典型接通延迟时间	19 ns
单位重量	6 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI3465DV-T1-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V	1:¥4.5313 10:¥3.6838 100:¥2.8024 500:¥2.3052 3,000:¥1.8419 6,000:查看	参考库存:22347
BCM53DSF	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM53DS SC-74	1:¥2.6103 10:¥2.0453 100:¥1.10627 1,000:¥0.82942	参考库存:51944
DMT3020LSD-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K	1:¥4.3844 10:¥3.6273 100:¥2.2148 1,000:¥1.7063 2,500:¥1.4577 10,000:¥1.4351	参考库存:126946
SIHG22N65E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥40.6461 10:¥33.6514 100:¥27.7415 250:¥26.8149	参考库存:22356
DSS5160TQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor	1:¥3.3787 10:¥2.5538 100:¥1.3786 1,000:¥1.03734	参考库存:16953