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晶体管
STB6N60M2参考图片

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STB6N60M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.78
678
500
¥5.989
2994.5
1,000
¥4.7234
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.06 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB6N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
22.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB6N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 DUALL 22/47
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:44037
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:19039
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-3
1:¥4.1471
10:¥3.164
100:¥2.3504
500:¥1.9323
3,000:¥1.356
6,000:查看
参考库存:19041
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:26546
晶体管
MOSFET Pch Power MOS FET -
1:¥4.2262
10:¥3.0736
100:¥1.9323
500:¥1.5707
10,000:¥1.2317
参考库存:26551
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