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晶体管
BSZ180P03NS3EGATMA1参考图片

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BSZ180P03NS3EGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
5,000
¥1.7854
8927
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
39.6 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
BSZ180P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSZ180P03NS3E BSZ18P3NS3EGXT G SP000709740
商品其它信息
优势价格,BSZ180P03NS3EGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
2,500:¥1.05994
10,000:¥0.99892
参考库存:55159
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.8419
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:43866
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.1A 3-PIN SMT
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:11763
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥890.1123
5:¥872.5973
10:¥831.9512
25:¥814.4249
参考库存:2595
晶体管
MOSFET 20V P-Ch NexFET
1:¥4.6895
10:¥3.9211
100:¥2.3843
250:¥2.3843
1,000:¥1.8419
参考库存:9267
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