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晶体管
FGA30N65SMD参考图片

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FGA30N65SMD

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库存:6,128(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.3517
28.3517
10
¥24.0464
240.464
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.29 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA30N65SMD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA30N65SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:29490
晶体管
MOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.7007
1,000:¥2.1583
4,000:¥1.8193
参考库存:10832
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥1.9888
100:¥0.85315
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:35609
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.119
500:¥6.2941
参考库存:7831
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
1:¥28.2048
10:¥23.9786
100:¥20.7468
250:¥19.6733
500:¥17.6732
参考库存:3663
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