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晶体管
MUN5235DW1T1G参考图片

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MUN5235DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
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数量单价合计
1
¥2.0001
2.0001
10
¥1.3108
13.108
100
¥0.5537
55.37
1,000
¥0.37629
376.29
3,000
¥0.29154
874.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
2.2 kOhms
典型电阻器比率
0.047
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5235DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,MUN5235DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
1:¥812.583
25:¥733.3587
100:¥661.8184
参考库存:2732
晶体管
MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:422299
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 100V, 160A, 5.5mOhm
1:¥23.8995
10:¥21.5943
100:¥17.3681
500:¥13.5261
参考库存:2426
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:41853
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2585
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