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晶体管
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FF400R07KE4

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
在25 C的连续集电极电流
485 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1250 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R07KE4HOSA1 SP000849132
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF400R07KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥10.7576
2,000:¥9.2208
4,000:¥8.4524
10,000:¥7.6501
参考库存:42265
晶体管
MOSFET N Ch 55V 0.005 OHM 120A
1:¥28.815
10:¥24.5097
100:¥21.2101
250:¥20.1366
参考库存:18805
晶体管
MOSFET MOSFET
暂无价格
参考库存:42277
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET
暂无价格
参考库存:68817
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 10 kOhm 100mA
暂无价格
参考库存:42284
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