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晶体管
IGW40N65H5参考图片

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IGW40N65H5

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
500
¥17.6732
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N65H5FKSA1 SP001001742
单位重量
6.054 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N65H5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
250:¥774.6263
参考库存:39933
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
5,000:¥10.5994
参考库存:39938
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 15 mo FET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:16246
晶体管
JFET
1:¥305.9814
5:¥289.4608
10:¥286.1499
25:¥264.6347
参考库存:39945
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥4.1245
5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7742
25,000:¥3.6612
参考库存:39950
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