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晶体管
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FDD1600N10ALZ

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数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.8138
48.138
100
¥3.1075
310.75
1,000
¥2.486
2486
2,500
¥2.486
6215
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
6.8 A
Rds On-漏源导通电阻
175 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Qg-栅极电荷
3.61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
14.9 W
配置
Single
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD1600N10ALZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD1600N10ALZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥47.5617
10:¥42.9513
25:¥40.9512
100:¥35.5724
2,000:¥25.9674
参考库存:14255
IRG4BC30FPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:9052
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
5,000:¥9.9101
参考库存:47349
IRG4BC20SD-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥14.2945
500:¥12.5204
参考库存:6311
EFC4612R-TR
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
5,000:¥1.6159
参考库存:19463
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