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晶体管
CSD19532KTT参考图片

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CSD19532KTT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET CSD19532Q5B Pkg spin
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数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.368
153.68
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
1,000
¥8.9157
8915.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD19532KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
113 S
下降时间
2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,CSD19532KTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC857CQA/DFN1010D-3/REEL 7" Q2
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:24097
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥122.0174
10:¥112.1864
25:¥107.4969
100:¥94.7392
参考库存:10029
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 150mW
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:18866
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6388
500:¥6.7461
2,500:¥4.7234
10,000:查看
参考库存:2423
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥24.4306
参考库存:24037
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