RN1507(TE85L,F)详细参数_参考价格_RN1507(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：30,494(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.213
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-25-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
系列	RN1507
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1507(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STH110N10F7-2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII	1:¥21.5943 10:¥18.3625 100:¥14.6787 500:¥12.8368 1,000:¥10.5994	参考库存:6085
FJP5554TU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V/5A	1:¥6.6896 10:¥5.5483 100:¥3.5821 1,000:¥2.8702	参考库存:6007
TK11A55D(STA4,Q,M)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms	1:¥19.9784 10:¥16.0573	参考库存:27808
CSD17573Q5BT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET	1:¥13.6052 10:¥11.6051 100:¥9.2208 250:¥9.2208 500:¥8.0682	参考库存:9409
2SK3078A(TE12L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS	1:¥11.4469 10:¥9.2208 100:¥7.0738 500:¥6.2263 1,000:¥4.9155	参考库存:4751