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晶体管
SQJB40EP-T1_GE3参考图片

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SQJB40EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.3788
2689.4
3,000
¥3.8985
11695.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC, 35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
48 S, 48 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns, 20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJB40EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC204A00R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥5.1528
10:¥3.9776
100:¥3.4917
500:¥3.1188
3,000:¥1.6837
9,000:查看
参考库存:17327
BD234G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 45V 25W PNP
1:¥4.9946
10:¥4.0906
100:¥2.486
1,000:¥1.9323
参考库存:7709
TK7J90E,S1E
Toshiba
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MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
1:¥20.8259
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:5471
MCH6545-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 0.5A 50V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:19453
DSC900100L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.1471
10:¥2.3391
100:¥1.2882
500:¥1.03734
3,000:¥0.63054
9,000:查看
参考库存:54875
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