RN1502(TE85L,F)详细参数_参考价格_RN1502(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMV-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1502
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PEMD20,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7	1:¥3.0736 10:¥2.0566 100:¥0.86106 1,000:¥0.58421 4,000:¥0.46104	参考库存:21080
ZXT849KTC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V	1:¥9.9892 10:¥8.4524 100:¥6.5427 500:¥5.7856 1,000:¥4.5652 2,500:¥4.5652	参考库存:6232
US5U30TR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-CH 20V 1A	1:¥4.9946 10:¥4.1132 100:¥2.5086 1,000:¥1.9323 3,000:¥1.6498	参考库存:15424
FQPF3N80C	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series	1:¥9.605 10:¥8.1473 100:¥6.2602 500:¥5.537	参考库存:8126
STU7N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2	1:¥10.1474 10:¥8.6784 100:¥6.6896 500:¥5.9212	参考库存:11248