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晶体管
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FDS8958B

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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.4409
44.409
100
¥2.8702
287.02
1,000
¥2.2939
2293.9
2,500
¥2.2939
5734.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.4 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms, 51 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDS8958B
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
2 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2 ns, 6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 nS, 17 nS
典型接通延迟时间
4.3 nS, 6 nS
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格，FDS8958B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP057N06N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:9862
STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
参考库存:8564
BUL654
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:14256
FGD3N60LSDTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V IGBT HID Application
1:¥8.6784
10:¥7.4467
100:¥5.7178
500:¥5.0511
1,000:¥3.9889
2,500:¥3.9889
参考库存:17063
PEMD17,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:24280
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