您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FGD3N60LSDTM参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FGD3N60LSDTM

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:17,063(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4467
74.467
100
¥5.7178
571.78
500
¥5.0511
2525.55
1,000
¥3.9889
3988.9
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGD3N60LSD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
2.3 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.1 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格,FGD3N60LSDTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:171028
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
参考库存:13035
晶体管
MOSFET TRANSITIONAL MOSFETS
1:¥4.8364
10:¥4.0341
100:¥2.6103
1,000:¥2.0792
5,000:¥2.0792
参考库存:28132
晶体管
IGBT 晶体管 Trench IGBT
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
500:¥16.9048
800:¥16.9048
参考库存:29604
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:243066
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号