您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
IPP057N06N3 G参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

IPP057N06N3 G

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:9,862(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
82 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
68 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP057N06N3GXKSA1 IPP57N6N3GXK SP000680808
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP057N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V 500mA N-Channel
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.3616
参考库存:1832588
晶体管
达林顿晶体管 15A 200V Bipolar Power NPN
1:¥26.8149
10:¥22.826
100:¥19.7524
250:¥18.7467
500:¥16.8257
参考库存:7245
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
1:¥65.7773
10:¥59.4719
25:¥56.7034
100:¥49.1776
参考库存:5902
晶体管
MOSFET 60V 12A 10 OHM NCH POWER TRENCH MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.7576
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:3104
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF Amp
1:¥38.3409
10:¥34.1938
100:¥31.1993
250:¥28.1257
参考库存:6541
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号