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晶体管
SISA88DN-T1-GE3参考图片

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SISA88DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.373
237.3
500
¥1.9549
977.45
3,000
¥1.3786
4135.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40.5 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
优势价格，SISA88DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIB406EDK-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.6104
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
3,000:¥1.4916
6,000:查看
参考库存:53920
KSC3503DS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
参考库存:35472
2N4858A
Central Semiconductor
晶体管
JFET Leaded JFET General Purpose
1:¥25.199
10:¥22.5096
100:¥20.5208
250:¥18.5207
参考库存:4149
NTF3055-100T1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 3A N-Channel
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0114
2,000:¥1.695
参考库存:32271
NVD5490NLT4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
2,500:¥1.8871
参考库存:37663
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