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晶体管
SIA907EDJT-T1-GE3参考图片

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SIA907EDJT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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库存:20,926(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.181
41.81
100
¥3.1301
313.01
500
¥2.2939
1146.95
3,000
¥1.5707
4712.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms, 47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
23 nC, 23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S, 11 S
下降时间
10 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
零件号别名
SIA907EDJT-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SIA907EDJT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Nch+Pch Si MOSFET
1:¥5.989
10:¥5.0285
100:¥3.2544
1,000:¥2.599
3,000:¥2.1922
参考库存:46977
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
参考库存:114474
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
1:¥0.7684
10:¥0.66896
100:¥0.23843
1,000:¥0.16159
3,000:¥0.12317
参考库存:3475656
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP68/SC-73/REEL 13" Q1/T1 *ST
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
4,000:¥0.79891
参考库存:22863
晶体管
MOSFET Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.984
参考库存:33160
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