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晶体管
NTZD3152PT1G参考图片

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NTZD3152PT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.07576
107.576
1,000
¥0.82264
822.64
4,000
¥0.69947
2797.88
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
430 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms, 2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC, 1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
280 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTZD3152P
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1 S, 1 S
下降时间
19 ns, 19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns, 12 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，NTZD3152PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DCP55-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:20444
RCD051N20TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
2,500:¥1.5933
10,000:¥1.4916
25,000:¥1.4125
50,000:¥1.3786
参考库存:52897
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥491.3918
参考库存:52902
2N3821
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥180.80
250:¥166.1326
500:¥152.9907
参考库存:52907
PTVA127002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥7,143.2046
参考库存:52912
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