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晶体管
DMN10H220LE-13参考图片

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DMN10H220LE-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.8419
4604.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.9 ns
典型接通延迟时间
6.8 ns
单位重量
260 mg
商品其它信息
优势价格，DMN10H220LE-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF2204PBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:13749
DTB114GKT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 500MA
1:¥3.6838
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:18191
DMC502010R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
24,000:¥0.71416
45,000:¥0.67574
参考库存:29022
KSP10TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:34128
ZTX618STZ
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:21680
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