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晶体管
NTHD4P02FT1G参考图片

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NTHD4P02FT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
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库存：30,877(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.8306
183.06
1,000
¥1.4125
1412.5
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.05 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTHD4P02
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.65 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格，NTHD4P02FT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDME510PZT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET -20V P-Channel PowerTrench
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:25716
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A FIELD STOP
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:5448
SI4134DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.1472
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:19155
BCX56-16,147
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
2,000:¥0.7684
参考库存:52302
CSD17302Q5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
2,500:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:18704
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