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晶体管
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FCX717TA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.8984
1898.4
2,000
¥1.6159
3231.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 230 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
110 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FCX717
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 160 at 3 A, 2 V, 60 at 8 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，FCX717TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R12YT3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥388.7313
5:¥380.0529
10:¥362.6848
参考库存:33834
RJH60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥27.1991
10:¥24.2837
25:¥21.8203
50:¥20.905
参考库存:33839
2N2405
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥174.4268
5:¥166.5846
10:¥161.364
25:¥148.3012
参考库存:33844
BC847A RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:33849
D3S280N65E-T
D3
晶体管
MOSFET 280 mOhm 650V
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
800:¥5.8986
参考库存:33854
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