DTB123YUT106详细参数_参考价格_DTB123YUT106 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	4.5
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	56
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB123YU
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB123YU

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
F4-75R12KS4_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 75A 1200V	1:¥967.0314 5:¥948.0474 10:¥903.8644 25:¥884.8917	参考库存:3606
SI4477DY-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8	1:¥11.30 10:¥9.2999 100:¥7.1416 500:¥6.1359 1,000:¥5.3788 2,500:¥5.3788	参考库存:28543
BC68-25PA,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20 V, 2 A NPN medium power transistors	1:¥3.2996 10:¥2.3165 100:¥1.05994 1,000:¥0.81473 3,000:¥0.69947	参考库存:9025
IGP10N60T	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A	1:¥11.9102 10:¥10.0683 100:¥8.0682 500:¥7.0964	参考库存:6537
FP25R12KT4_B11	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥496.0022 5:¥486.8605 10:¥474.261 25:¥464.9611	参考库存:3589