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晶体管
SIA441DJ-T1-GE3参考图片

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SIA441DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.1358
41.358
100
¥3.0736
307.36
500
¥2.5199
1259.95
1,000
¥1.9549
1954.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
13 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SIA441DJ-GE3
商品其它信息
优势价格,SIA441DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥4.2375
参考库存:42012
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,019.9719
参考库存:42017
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,400.5607
参考库存:42022
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:42027
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥1,535.4892
25:¥1,514.4373
50:¥1,410.6242
参考库存:42032
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