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晶体管
FQU13N06LTU-WS参考图片

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FQU13N06LTU-WS

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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.599
259.9
1,000
¥2.0792
2079.2
2,500
¥1.8645
4661.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FQU13N06L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
FQU13N06LTU_WS
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
优势价格,FQU13N06LTU-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥4.3053
10:¥3.5708
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10:¥6.78
100:¥5.2093
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5,000:¥3.2205
10,000:查看
参考库存:26204
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥521.5854
5:¥511.9804
10:¥498.7707
25:¥488.9284
参考库存:26209
晶体管
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1:¥5.6048
10:¥4.7008
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
2,500:¥2.4295
参考库存:26214
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:19811
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