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FDD6N50FTM

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数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.9099
590.99
500
¥5.2206
2610.3
2,500
¥3.6612
9153
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6N50F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
20.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.4 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM70N10CH X0G
Taiwan Semiconductor
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250:¥121.8705
500:¥112.2655
参考库存:52242
PXFC191507FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:52247
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