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晶体管
IRFHM830TRPBF参考图片

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IRFHM830TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2884
52.884
100
¥3.4126
341.26
1,000
¥2.7233
2723.3
4,000
¥2.7233
10893.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001566782
单位重量
66 mg
商品其它信息
优势价格,IRFHM830TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 230V 15A 150W
1:¥24.8939
10:¥21.2101
100:¥18.3625
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晶体管
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1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
2,500:¥6.328
5,000:查看
参考库存:12840
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥921.0856
5:¥902.9491
10:¥860.834
25:¥842.7766
参考库存:1602
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:2944
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:6106
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