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晶体管
BSO301SP H参考图片

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BSO301SP H

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -30V -14.9A DSO-8 OptiMOS P
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库存:16,910(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1529
3576.45
1,000
¥5.9325
5932.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.9 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
110 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSO301SPHXUMA1 BSO31SPHXT SP000613796
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO301SP H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:140596
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
1:¥14.9047
10:¥12.2153
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:15278
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:313145
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BISS Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:118957
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:134809
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