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晶体管
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FQU4N50TU-WS

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6839
56.839
100
¥4.3618
436.18
500
¥3.8533
1926.65
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FQU4N50TU_WS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FQU4N50TU_WS
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
优势价格，FQU4N50TU-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NIC9N05ATS1
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 9 A 52 V N-CHANNEL DIE
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:24914
ULQ2003ATDG4Q1
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Darl Trans Arrays
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:24919
DDA142TH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:17421
DMN6075S-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
10,000:¥0.44522
20,000:¥0.41471
参考库存:24926
FDG6335N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FDG6335N
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.582
参考库存:12428
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