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晶体管
SQ3985EV-T1_GE3参考图片

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SQ3985EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC, 4.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S, 7 S
下降时间
20 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns, 26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
商品其它信息
优势价格，SQ3985EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6N58NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 4A 30V 2-in-1
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.4464
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
参考库存:47297
DSC7101R0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1:¥5.2997
10:¥3.8872
100:¥2.4408
500:¥1.9775
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6724
参考库存:13759
F3L300R12PT4_B26
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,772.2355
5:¥1,729.5893
10:¥1,686.638
25:¥1,662.9758
参考库存:4106
SIHF8N50D-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥12.9046
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
参考库存:8828
NTMD4184PFR2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:14670
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