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晶体管
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APT46GA90JD40

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥223.9886
223.9886
5
¥213.9203
1069.6015
10
¥207.242
2072.42
25
¥190.405
4760.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
87 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
284 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT46GA90JD40的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3017SFGQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.7007
参考库存:18440
PDTA115TU,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:23850
NTMFS5C450NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
5,000:¥4.5991
10,000:查看
参考库存:23855
BC847QASX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA NPN/NPN gen purpose trans
暂无价格
参考库存:23860
DMNH4015SSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
2,500:¥2.9493
参考库存:23865
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