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晶体管
RM100N60T2参考图片

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RM100N60T2

  • Rectron
  • 最新
  • MOSFET TO-251 MOSFET
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库存:36,558(价格仅供参考)
数量单价合计
1,600
¥3.8533
6165.28
3,200
¥3.3109
10594.88
5,600
¥3.0171
16895.76
10,400
¥2.7572
28674.88
25,600
¥2.712
69427.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.8 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
16.8 ns
商品其它信息
优势价格,RM100N60T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥4.9155
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7289
参考库存:26006
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
2,500:¥5.4579
5,000:查看
参考库存:22178
晶体管
MOSFET Broad small-signal MOSFET Portfolio
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
参考库存:18345
晶体管
达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power NPN
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.1981
参考库存:5892
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:89219
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