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晶体管
STP260N6F6参考图片

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STP260N6F6

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
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库存:8,098(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.7142
46.7142
10
¥39.7308
397.308
100
¥34.4198
3441.98
250
¥32.657
8164.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
183 nC
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP260N6F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
62.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP260N6F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥29.1201
10:¥24.747
100:¥21.4361
250:¥20.3626
500:¥18.2156
800:¥18.2156
参考库存:3431
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:59453
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.6105
10:¥5.6952
100:¥4.3731
500:¥3.8646
5,000:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:26750
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
参考库存:23642
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:8009
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