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晶体管
DMP3017SFGQ-13参考图片

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DMP3017SFGQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
3,000
¥2.7007
8102.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
940 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP3017
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
36.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45.6 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
优势价格,DMP3017SFGQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
3,000:¥3.9211
参考库存:34647
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1:¥42.6462
10:¥36.273
100:¥31.4253
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1:¥5.2206
10:¥4.2149
100:¥3.1979
500:¥2.6329
1,000:¥2.1131
3,000:¥1.9097
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1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
2,500:¥7.232
5,000:查看
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1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
2,000:¥3.8985
参考库存:19475
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