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晶体管
APT31M100L参考图片

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APT31M100L

  • Microsemi
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  • MOSFET Power MOSFET - MOS8
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库存:4,687(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥143.2275
143.2275
10
¥130.1647
1301.647
25
¥120.4128
3010.32
50
¥113.8814
5694.07
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-264-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.04 kW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
39 ns
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,APT31M100L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.3516
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
1,000:¥13.9103
2,000:查看
参考库存:13924
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
3,000:¥4.1697
参考库存:25941
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:4708
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:4665
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
5,000:¥4.3166
10,000:查看
参考库存:38782
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