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晶体管
SI8851EDB-T2-E1参考图片

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SI8851EDB-T2-E1

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
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库存:11,857(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.938
293.8
500
¥2.4295
1214.75
1,000
¥1.9436
1943.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFoot-30
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
16.7 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI8
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
115 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格,SI8851EDB-T2-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥14.1363
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
1,000:¥6.9721
4,000:¥6.2489
参考库存:21908
晶体管
MOSFET 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥20.6677
10:¥17.1308
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:14265
晶体管
IGBT 晶体管 40A 650V MONOLITHIC RC IG
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
参考库存:8852
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
参考库存:12984
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.199
250:¥23.8995
参考库存:7001
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