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晶体管
NJVNJD1718T4G参考图片

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NJVNJD1718T4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR DPAK 50V
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数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.8364
48.364
100
¥3.1301
313.01
1,000
¥2.4973
2497.3
2,500
¥2.1131
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 200 mV
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJD1718
直流电流增益 hFE 最大值
240
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
15 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
优势价格，NJVNJD1718T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17303Q5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6106
500:¥7.5823
2,500:¥5.8534
5,000:查看
参考库存:21865
FDD5690
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.4015
500:¥6.5427
2,500:¥4.5765
10,000:查看
参考库存:28327
TPH11003NL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
1:¥5.6048
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8871
参考库存:21784
APT75GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:5121
IRFP9140NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -21A 117mOhm 64.7nCAC
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.2094
参考库存:9063
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