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晶体管
FF150R12MS4G参考图片

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FF150R12MS4G

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库存:2,312(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥923.4586
923.4586
5
¥905.3334
4526.667
10
¥863.1392
8631.392
25
¥845.014
21125.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.7 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1250 W
封装 / 箱体
Econo D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF150R12MS4GBOSA1 SP000091944
商品其它信息
优势价格,FF150R12MS4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.1418
参考库存:5855
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.6895
10:¥3.4465
100:¥2.1696
500:¥1.7628
3,000:¥1.3899
9,000:查看
参考库存:40312
晶体管
IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
800:¥8.1473
参考库存:6564
晶体管
MOSFET PT8 30V/20V NCH ERTREN
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.3789
500:¥6.5201
3,000:¥4.5652
9,000:查看
参考库存:9926
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
8,000:¥0.43053
24,000:查看
参考库存:240198
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