DTC143TETL详细参数_参考价格_DTC143TETL PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC143TE
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.7 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTC143TE

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DTC143EUBHZGTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-323FL 4.7kO Input Resist	1:¥1.3108 10:¥1.1865 100:¥0.42262 1,000:¥0.28476 3,000:¥0.2147	参考库存:48960
SUP50020E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB	1:¥22.6678 10:¥18.8258 100:¥15.5262 250:¥14.9838 500:¥13.447	参考库存:6442
SQ4470EY-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified	1:¥11.6842 10:¥9.605 100:¥7.3337 500:¥6.3054 2,500:¥6.3054	参考库存:9934
SIRA96DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥4.068 10:¥3.1075 100:¥2.3165 500:¥1.8984 3,000:¥1.3334 6,000:查看	参考库存:33331
NSVJ3910SB3T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	JFET NCH J-FET	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 3,000:¥1.8419	参考库存:19018