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晶体管
DXTN07100BP5-13参考图片

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DXTN07100BP5-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A
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1
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4.8364
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
5,000
¥2.0905
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-5
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
175 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DXTN07100
直流电流增益 hFE 最大值
300
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
单位重量
96 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C423NLWFAFT3G
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50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:24975
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100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:24982
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