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晶体管
BSZ900N20NS3 G参考图片

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BSZ900N20NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
5,000
¥5.2432
26216
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
15.2 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ9N2NS3GXT SP000781806
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ900N20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9226-75A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:27945
FQP12P20
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0964
500:¥6.2715
参考库存:13922
SI7106DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥11.3678
10:¥9.9892
100:¥7.91
3,000:¥7.91
参考库存:31934
IPB80P03P4L-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
1,000:¥7.1529
参考库存:75631
FQPF47P06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥18.2156
10:¥15.5262
100:¥12.3735
500:¥10.8367
参考库存:17203
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